（原标题：长鑫存储请求半导体测验结构及其测验办法专利，有用监测后道工序中导电过孔的制备工艺）
金融界2023年12月22日音讯，据国家知识产权局公告，长鑫存储技能有限公司请求一项名为“半导体测验结构及其测验办法“，揭露号CN117276247A，请求日期为2022年6月。
专利摘要显现，本揭露触及一种半导体测验结构及其测验办法，半导体测验结构包含：衬底以及别离设置于衬底一侧的榜首测验部、第二测验部和第三测验部。其间，榜首测验部被装备为：测验榜首测验结构的电学功能，以取得榜首检测成果。榜首测验结构包含：导电过孔，以及坐落导电过孔两头且与导电过孔相连接的榜首导电部和第二导电部。第二测验部被装备为：测验榜首导电部的电学功能，以取得第二检测成果。第三测验部被装备为：测验第二导电部的电学功能，以取得第三检测成果。其间，导电过孔的电学功能依据榜首检测成果、第二检测成果和第三检测成果确认。上述半导体测验结构能够轻松又有用监测后道工序中导电过孔的制备工艺。
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