当前受益于半导体制程微缩与3D技术趋势,刻蚀设备已跃升为半导体设备中的第一大设备,使用量持续攀升。
在集成电路芯片制造的总资本开支中,刻蚀设备占据了约22%的份额,是半导体生产流程中的关键设备。
根据SEMI提供的数据,中国大陆已连续四年稳居全球最大半导体设备市场的宝座。
Gartner人预测进一步指出,2018年至2025年间,中国大陆将新建74座晶圆厂,数量上领先全球。
下游扩产趋势明确,加上半导体全产业链对国产化的迫切需求,为国产刻蚀设备提供新一轮发展机遇。同时,器件结构的多维度升级也加速激发对刻蚀设备的新需求。
刻蚀是光刻之后的关键步骤,通过物理或化学方法精确去除多余薄膜材料,以形成光刻所定义的电路图形。目前主流的刻蚀设备大致上可以分为CCP(电容耦合等离子体)和ICP(电感耦合等离子体)两大类。介质刻蚀技术用于在绝缘材料上雕刻出精细图案,在半导体器件的导电部分之间形成必要的阻挡膜。
刻蚀工艺具有高度复杂性和技术壁垒,早期进入市场的国际巨头如泛林集团、东京电子、应用材料等凭借领先的技术工艺长期垄断全球刻蚀设备市场。
其中,泛林半导体以刻蚀设备为起点,通过自主研发和多次并购,慢慢成长为半导体设备行业的巨头。2012年泛林收购了薄膜沉积设备商Novellus Systems,从而形成了刻蚀、薄膜沉积、清洁三大核心业务板块。
国内市场中微公司和北方华创是国产刻蚀设备两家领军企业,分别在CCP和ICP领域占据领头羊。
北方华创作为国内领先的平台型半导体设备企业,已成功实现12英寸硅片、金属及介质刻蚀机的全方面覆盖。截至2023年底,其刻蚀产品系列累计出货量已超过3500腔(其中ICP超过3200腔,CCP超过100腔)。2023年公司新签订订单总额突破300亿元,其中集成电路领域的订单占比超过七成。此外,公司在物理气相沉积(PVD)设备领域也处于国内领先地位,全面覆盖逻辑芯片与存储芯片的金属化制程。
中微公司已掌握从5纳米到65纳米各先进的技术节点的关键技术,并正加速推进5纳米及以下关键设备的研发工作。中微公司是国内唯一掌握7纳米/5纳米介质刻蚀技术的企业,已成功进入台积电生产线。目前公司的电感耦合等离子体(CCP)刻蚀设备在国内先进存储芯片研发线%,并设定了近期将市场占有率提升至85%的目标。
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